影響硅碳棒使用壽命的因素有：

① 使用中元件溫度越高壽命越短，特別是在爐膛溫度超過1400℃以后，氧化速度加快，元件的使用壽命變短，所以請(qǐng)盡量不要讓棒體表面溫度過高，即有必要縮小爐膛溫度與元件溫度之差。
②盡可能不要超過元件的表面負(fù)荷，表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。
表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2）
實(shí)踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長(zhǎng)快，碳化硅棒的壽命縮短。因此，碳化硅電熱元件表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與棒的老化速度成正比，與棒的壽命成反比。 
③ 在燒成中棒的表面會(huì)與很多燒成物揮發(fā)出來(lái)的化學(xué)物質(zhì)之間的會(huì)發(fā)生反應(yīng)，影響升溫速度甚至腐蝕壞元件，如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話，也會(huì)發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。
④碳化硅電熱元件與二硅化鉬電熱元件一樣，越是長(zhǎng)期連續(xù)使用效果越好，不適合用于間歇式電爐，在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命更長(zhǎng)，因?yàn)樵谑褂弥斜砻嫜趸啥趸璞∧ぃL(zhǎng)時(shí)間使用使二氧化硅皮膜增加，阻值也隨之增加，二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮，因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動(dòng)，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此經(jīng)常停爐與升溫時(shí)會(huì)導(dǎo)致保護(hù)膜破裂脫落。
⑤ 如果一組中碳化硅元件的阻值不同，串聯(lián)時(shí)電阻高的棒負(fù)荷較集中，易導(dǎo)致這一根的電阻快速增加，壽命變短。阻值一樣時(shí)元件一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時(shí)必須并聯(lián)。三相接線時(shí)建議使用開放三角形接線。